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共机构单温度相关的分离与缺陷状态的定域电子旋转有关。因此，位建简并掺杂的半导体和金属氧化物纳米晶体在光谱的近红外到中红外部分表现出了共振等离子体震荡，位建并在光电器件、传感和光谱等方面具有应用前景。

【图文导读】Figure1.In2O3纳米晶体的表征 (a).在空气中合成的In2O3纳米晶体的TEM图(b).1%Sn4+掺杂的In2O3纳米晶体的TEM图(c).空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体的XRD图(d). 空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体的拉曼图谱Figure2.纳米晶体性能表征 (a).空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体的LSPR吸收谱图(b).图a中纳米晶体的tauc图图3.纳米晶体性能表征(a).空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体，筑面以及10%ITO纳米晶体的MCD谱图(b). 空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体，筑面以及10%ITO纳米晶体磁场依赖的MCD强度图4.纳米晶体性能表征 (a).空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体，以及10%ITO纳米晶体在不同温度下的MCD图(b).空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体，以及不同掺杂浓度的ITO纳米晶体的MCD强度的温度依赖(c).图b中的纳米晶体在激子吸收范围内的MCD谱图图5.纳米晶体的模拟计算 (a,b).In2O3纳米晶体和3.125%Sn4+掺杂的In2O3纳米晶体的计算能带结构图(c).自由电子浓度增加所导致的能带分离示意图【小结】在这个工作中，作者利用圆偏振光在外部磁场中的激发，通过给体缺陷电子结构和纳米晶体主晶格的同时控制，来实现In2O3纳米晶体中激子分裂的控制。通过变温-变场磁圆二色性谱图，积能降5降可以在等离子In2O3纳米晶体中观测到纳米晶体能带分离的影响。和由金和银构成的纳米结构相反，耗下半导体和金属氧化物纳米晶体可以通过异价掺杂、耗下化学计量的控制、光掺杂和电化学注射等方法来实现电荷载体的类型和浓度。

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如果LSPR和激子跃迁是共振的，量下那么等离子共振和激子的相互耦合就可以在单相纳米结构中实现，而非含有金属-半导体界面的纳米复合物。

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